페이지 인쇄
IRF7342PBF
Dual MOSFET, P Channel, 55 V, 3.4 A
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7342PBF복사
주문 코드9102191
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF7342PBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRF7342PBF is a -55V dual P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- Surface mount
- Dynamic dV/dt rating
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000162