페이지 인쇄
IRF7509PBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7509PBF복사
주문 코드9102108
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleµSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF7509PBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
µSOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001