페이지 인쇄
IRF7821PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 13.6 A, 9100 µohm, SOIC, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7821PBF복사
주문 코드1013495
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13.6A
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max155°C
Product Range-
Qualification-
IRF7821PBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRF7821PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency point-of-load synchronous buck converter for applications in networking system.
- Low gate charge
- Ultra-low gate impedance
- Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
애플리케이션
Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
155°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000158