페이지 인쇄
IRF7842PBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7842PBF복사
주문 코드1436945
AKASP001554448
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance5000µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max2.25V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF7842PBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRF7842PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. The synchronous MOSFET is suitable for Notebook processor power, isolated and non-isolated DC-to-DC converters.
- Low gate charge
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Ultra-low gate impedance
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
애플리케이션
Computers & Computer Peripherals, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.25V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000167