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IRF8736PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF8736PBF복사
주문 코드1551903
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF8736PBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRF8736PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Low gate charge
- Fully characterized avalanche voltage and current
- 100% Tested for RG
애플리케이션
Power Management, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000245