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IRFB7530PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFB7530PBF
주문 코드2406514
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
AKASP001575524
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFB7530PBF
주문 코드2406514
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
AKASP001575524
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
기술 문서 (1)
IRFB7530PBF의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00195