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IRFF130
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 8 A, 0.207 ohm, TO-205AD, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFF130복사
주문 코드4190798
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.207ohm
Transistor Case StyleTO-205AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRFF130의 대체 제품
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제품 개요
The IRFF130 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET suitable for inverters, choppers and high energy pulse circuit. The efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low ON-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET® transistor also features all of the well established advantages of MOSFET such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
- Repetitive avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
- Hermetically sealed
- Simple drive requirements
- Ease of paralleling
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-205AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.207ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001134