페이지 인쇄
IRFH7932TRPBF
Power MOSFET, HEXFET®, N Channel, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,711 재고
더 필요하세요?
2,711 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,873 |
| 10+ | ₩1,274 |
| 100+ | ₩895 |
| 500+ | ₩802 |
| 1000+ | ₩747 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,873
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFH7932TRPBF복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드2776859
AKASP001556482
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation3.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
IRFH7932TRPBF의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 2 - 1 year
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001