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IRFH8201TRPBF
Power MOSFET, StrongIRFET™, N Channel, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFH8201TRPBF
주문 코드2781126
Product RangeHEXFET
AKASP001577876
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
IRFH8201TRPBF의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000025