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IRFI4110GPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFI4110GPBF복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드1888169
Product RangeHEXFET Series
AKASP001556598
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFI4110GPBF복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드1888169
Product RangeHEXFET Series
AKASP001556598
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
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제품 개요
The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00195