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IRFP260MPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩5,701 |
| 10+ | ₩3,210 |
| 100+ | ₩2,030 |
| 500+ | ₩1,990 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFP260MPBF복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드2468032
AKASP001572874
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IRFP260MPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
- Low static drain-to-source ON-resistance
애플리케이션
Commercial, Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006