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IRFP260NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole
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|---|---|
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFP260NPBF
주문 코드8649294
AKASP001552016
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRFP260NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 40mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 300W at 25°C
- Continuous drain current Id of 50A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567