페이지 인쇄
IRFP4668PBFXKMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFP4668PBFXKMA1복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드4127996
Product RangeHEXFET Series
AKASP005732696, IRFP4668PBF
귀하의 부품 번호
주문 가능
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩11,746 |
| 10+ | ₩7,867 |
| 100+ | ₩5,595 |
| 500+ | ₩5,310 |
| 1000+ | ₩5,024 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩11,746
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFP4668PBFXKMA1복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드4127996
Product RangeHEXFET Series
AKASP005732696, IRFP4668PBF
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003