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IRFR1018EPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 56 A, 8400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR1018EPBF복사
주문 코드1602229
AKASP001567496
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
The IRFR1018EPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and high frequency circuits.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000631