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IRFR3410TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR3410TRPBF복사
제조업체 표준 리드 타임38주
주문 코드
리릴링2468036RL
컷 테이프2468036
AKASP001578202
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,255 | ₩6,275 |
| 총계 가격 | ₩6,275 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,255 |
| 50+ | ₩1,187 |
| 100+ | ₩1,118 |
| 500+ | ₩877 |
| 1000+ | ₩874 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR3410TRPBF복사
제조업체 표준 리드 타임38주
주문 코드
리릴링2468036RL
컷 테이프2468036
AKASP001578202
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IRFR3410TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rating
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000501