페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.

더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR3708PBF복사
주문 코드8658811
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation87W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRFR3708PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency buck converters and high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use.
- Ultra-low gate impedance
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rating
애플리케이션
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
87W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004
