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IRFR3806PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR3806PBF복사
주문 코드1602231
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance0.0126ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
IRFR3806PBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRFR3806PBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0126ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000686