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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFR5410TRLPBF복사
주문 코드
리릴링2781133RL
컷 테이프2781133
Product RangeHEXFET
AKASP001578112
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.205ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation66W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
IRFR5410TRLPBF의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
- Single -100v P-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Dynamic dv/dt rating
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.205ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000426