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IRFS23N20DPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFS23N20DPBF복사
주문 코드8649952
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation3.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
IRFS23N20DPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRFS23N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001814