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IRFZ24NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩949 |
| 10+ | ₩629 |
| 100+ | ₩592 |
| 500+ | ₩426 |
| 1000+ | ₩353 |
| 5000+ | ₩317 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFZ24NPBF
주문 코드8650160
AKASP001565128
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
Single N-channel HEXFET® power MOSFET.
- Advanced process technology
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Increased ruggedness
- High performance in low frequency applications
- High current capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.049442