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IRG4BC30FD-SPBF
IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4BC30FD-SPBF
주문 코드1013521
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current31A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation100W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The IRG4BC30FD-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with hyper-fast diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, <gt/>20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Optimized for specific application conditions
- Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs
애플리케이션
HVAC, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
31A
Power Dissipation
100W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003931