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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PC50FDPBF
주문 코드9105123
Product RangeIRG4
AKASP001545704
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage1.79V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- ±20V Gate-emitter voltage
애플리케이션
Motor Drive & Control
기술 사양
Continuous Collector Current
70A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.79V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567