페이지 인쇄
IRG4PC50FDPBF
IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PC50FDPBF
주문 코드9105123
Product RangeIRG4
AKASP001545704
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage1.79V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- ±20V Gate-emitter voltage
애플리케이션
Motor Drive & Control
기술 사양
Continuous Collector Current
70A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.79V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
관련 제품
6개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567