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IRG4PSH71UDPBF
IGBT, 99 A, 2.7 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 Pins
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제품 개요
The IRG4PSH71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The ultrafast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations.
- Creepage distance increased to 5.35mm
- High efficiency
- Maximum power density
- Optimized for specific application conditions
- HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI
애플리케이션
Alternative Energy, Maintenance & Repair, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
99A
Power Dissipation
350W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Transistor Case Style
TO-274AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.008038