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IRGB30B60KPBF
IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRGB30B60KPBF
주문 코드8659591
AKASP001546084
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current78A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation370W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IRGB30B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and rugged transient performance.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Low EMI
- Excellent current sharing in parallel operation
- 10µs Short-circuit capability
애플리케이션
Consumer Electronics, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
78A
Power Dissipation
370W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002