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IRGP20B120U-EP
IGBT, 40 A, 3.2 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 개요
The IRGP20B120U-EP is an Insulated Gate Bipolar Transistor features ultrafast non-punch through (NPT) technology and excellent current sharing in parallel operation. It is optimized for welding, UPS and induction heating applications.
- Square RBSOA
- Positive VcE(m) temperature coefficient
- Benchmark efficiency above 20kHz
- Rugged with ultrafast performance
- Low EMI
- Significantly less snubber required
- Excellent current sharing in parallel operation
- Longer leads for easier mounting
- 10μs Short-circuit capability
애플리케이션
Maintenance & Repair, Power Management, HVAC, Consumer Electronics
기술 사양
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
300W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
기술 문서 (1)
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4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006