페이지 인쇄
IRLL014NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLL014NPBF복사
주문 코드8651183
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
IRLL014NPBF의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRLL014NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Surface mount
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000218