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IRLL3303PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLL3303PBF복사
주문 코드
리릴링8651248RL
컷 테이프8651248
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRLL3303PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level gate drive
- Ease of paralleling
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Low static drain-to-source ON-resistance
애플리케이션
Automotive, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002