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IRLML5103TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLML5103TRPBF
주문 코드1463265
AKASP001572946
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation540mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRLML5103TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Generation V technology
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Fast switching
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
µSOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.13