페이지 인쇄
IRLMS2002PBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLMS2002PBF복사
주문 코드
리릴링9102590RL
컷 테이프9102590
AKASP001567202
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
IRLMS2002PBF의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRLMS2002PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6™ package with its customized lead-frame produces a HEXFET® power MOSFET. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.
- Ultra-low ON-resistance
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Transistor Case Style
µSOIC
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003175