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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLR3110ZTRPBF
주문 코드2726017
Product RangeHEXFET
AKASP001574010
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- HEXFET® power MOSFET specifically designed for Industrial applications
- Advanced process technology
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
기술 문서 (1)
IRLR3110ZTRPBF의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004