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IRLR4132TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLR4132TRPBF
주문 코드2726020
Product RangeHEXFET
AKASP001567364
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
IRLR4132TRPBF is a HEXFET® Power MOSFET in a TO-220AB package optimized for UPS/Inverter applications and low voltage power tools.
- Drain-to-source voltage VDS of 30V, gate-to-source voltage of ±20V
- Best in class performance for UPS/inverter applications
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Ultra-low gate impedance
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Operating temperature range from -55 to + 175°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004