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IRLS4030-7PPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 14주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩12,209 |
| 10+ | ₩8,295 |
| 100+ | ₩6,406 |
| 500+ | ₩5,671 |
| 1000+ | ₩5,290 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRLS4030-7PPBF복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드1698313
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation370W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRLS4030-7PPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is optimized for logic level drive. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Logic level
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
IRLS4030-7PPBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143