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SPP18P06PHXKSA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩2,940 |
| 10+ | ₩1,463 |
| 100+ | ₩1,308 |
| 500+ | ₩1,183 |
| 1000+ | ₩1,058 |
| 5000+ | ₩932 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호SPP18P06PHXKSA1
주문 코드2432733
AKASPP18P06P H, SP000446906
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id18.7A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation81.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
제품 개요
The SPP18P06P H is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
- AEC-Q101 Qualified
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.7A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
81.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
SPP18P06PHXKSA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002