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IS43TR16640C-125JBLI
DRAM, DDR3, 1 Gbit, 64M x 16bit, 800 MHz, BGA, 96 Pins
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제조업체 부품 번호IS43TR16640C-125JBLI복사
제조업체 표준 리드 타임52주
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제품 정보
제조업체 부품 번호IS43TR16640C-125JBLI복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드4816446
기술 데이터 시트
DRAM TypeDDR3
Memory Density1Gbit
Memory Configuration64M x 16bit
Clock Frequency Max800MHz
IC Case / PackageBGA
No. of Pins96Pins
Supply Voltage Nom1.5V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
IS43TR16640C-125JBLI is a 1Gb DDR3 SDRAM.
- Standard voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ±0.075V
- 8 internal banks for concurrent operation, 8n-bit pre-fetch architecture
- Programmable CAS latency, programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
- Programmable burst sequence: sequential or interleave
- BL switch on the fly, Auto Self Refresh(ASR), Self Refresh Temperature(SRT)
- Partial array self refresh, asynchronous RESET pin
- OCD (off-chip driver impedance adjustment), dynamic ODT (on-die termination)
- Write levelling, up to 200MHz in DLL off mode
- 96-ball BGA package
- Industrial temperature range from –40°C ≤ TC ≤ 95°C
기술 사양
DRAM Type
DDR3
Memory Configuration
64M x 16bit
IC Case / Package
BGA
Supply Voltage Nom
1.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Density
1Gbit
Clock Frequency Max
800MHz
No. of Pins
96Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001