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IRF6604TR1
MOSFET, N, DIRECTFET, MQ
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6604TR1복사
주문 코드9266534
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleDirectFET MQ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage7V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation2.3W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
DirectFET MQ
Rds(on) Test Voltage
7V
Power Dissipation
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001