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IRF6678TR1
MOSFET, N, DIRECTFET, MX
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6678TR1복사
주문 코드1078426
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.25V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
IRF6678TR1의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.25V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Ivory Coast (Cote D'Ivoire)
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Ivory Coast (Cote D'Ivoire)
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0005