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IRF6691TR1
MOSFET, N, DIRECTFET, MT
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6691TR1복사
주문 코드1078427
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StyleDirectFET MT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF6691TR1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
DirectFET MT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Ivory Coast (Cote D'Ivoire)
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Ivory Coast (Cote D'Ivoire)
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005