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DE275-201N25A
RF FET Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, SMD
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호DE275-201N25A
주문 코드1347735
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id25A
Power Dissipation590W
Operating Frequency Min-
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The DE275-201N25A is a N-channel RF Power MOSFET optimized for RF and high speed switching at frequencies to 100MHz. The device offers isolated substrate, high isolation voltage (<gt/>2500V), excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling capability.
- Easy to mount
- No insulators needed
- High power density
- Low gate charge and capacitances
- Easier to drive
- Faster switching
- Low RDS (ON)
- Very low insertion inductance (<lt/>2nH)
- High dV/dt
- Nanosecond switching
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Power Management
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
200V
Power Dissipation
590W
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
25A
Operating Frequency Min
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002