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IXFA7N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩11,083 |
| 10+ | ₩9,792 |
| 100+ | ₩8,500 |
| 500+ | ₩7,208 |
| 1000+ | ₩6,708 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFA7N100P
주문 코드3438371
Product RangePolar HiPerFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance1.9ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004