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IXFH16N80P
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Through Hole
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제조업체 부품 번호IXFH16N80P복사
제조업체 표준 리드 타임29주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩21,473 |
| 5+ | ₩17,156 |
| 10+ | ₩12,838 |
| 50+ | ₩11,971 |
| 100+ | ₩11,103 |
| 250+ | ₩10,881 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFH16N80P복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드1427291
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation460W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFH16N80P is a PolarHV™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast recovery diode.
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- International standard package
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.012247