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IXFH42N60P3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Through Hole
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제조업체 부품 번호IXFH42N60P3복사
제조업체 표준 리드 타임39주
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| 1+ | ₩21,903 |
| 5+ | ₩18,854 |
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| 50+ | ₩14,663 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFH42N60P3복사
제조업체 표준 리드 타임39주
주문 코드2429709
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.185ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFH42N60P3 is a Polar3™ HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- Low RDS (ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Power Management, Robotics, Industrial, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.185ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.012814