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IXFN100N50P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
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제조업체 부품 번호IXFN100N50P복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드1427318
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| 1+ | ₩101,996 |
| 5+ | ₩92,676 |
| 10+ | ₩83,355 |
| 50+ | ₩80,507 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN100N50P복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드1427318
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN100N50P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, fast recovery diode and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast recovery diode
- Low inductance
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Power Management, Lighting
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.04kW
No. of Pins
4Pins
MSL
-
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.03