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IXFN32N120
MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, 10 V, 5 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN32N120
주문 코드7348002
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Product Range-
제품 개요
The IXFN32N120 is a 1200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
애플리케이션
Power Management, Industrial, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.039074