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IXFP10N60P
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFP10N60P복사
주문 코드1427330
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.74ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IXFP10N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.74ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004