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IXFP8N85X
Power MOSFET, N Channel, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,263 |
| 10+ | ₩5,420 |
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| 500+ | ₩3,735 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFP8N85X복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드3438393
Product RangeX-Class HiPerFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds850V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX-Class HiPerFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
850V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X-Class HiPerFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004