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IXKR40N60C
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXKR40N60C복사
주문 코드1300130
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleISOPLUS-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation280W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IXKR40N60C is a CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS) and low ON-resistance.
- ISOPLUS247™ package with DCB base
- Electrical isolation towards the heat sink
- Low coupling capacitance to the heat sink for reduced EMI
- High power dissipation
- High temperature cycling capability of chip on DCB
- JEDEC TO-247AD compatible
- Easy clip assembly
- Fast CoolMOS™ power MOSFET 3rd generation
- High blocking capability
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness
- Enhanced total power density
- Low RDS (ON)
- High VDSS
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
280W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005