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IXTK120N25P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Through Hole
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제조업체 부품 번호IXTK120N25P복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드1427358
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|---|---|
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXTK120N25P복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드1427358
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXTK120N25P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode. It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, laser drivers, switched-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Robotics
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.027216