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제조업체 부품 번호IXTK180N15P복사
제조업체 표준 리드 타임22주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩29,633 |
| 5+ | ₩24,904 |
| 10+ | ₩20,174 |
| 50+ | ₩19,803 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXTK180N15P복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드1427360
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation800W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXTK180N15P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers low reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low package inductance
- Fast intrinsic diode
- Dynamic dV/dt rating
- Low Qg
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536