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IXBT42N170
IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩57,618 |
| 5+ | ₩53,793 |
| 10+ | ₩49,968 |
| 50+ | ₩46,143 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXBT42N170
주문 코드3930485
Product RangeBiMOSFET Series
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.8V
Power Dissipation360W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeBiMOSFET Series
SVHCTo Be Advised
제품 개요
High voltage, high gain BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit, AC switches applications.
- High blocking voltage
- Low conduction losses
- Low gate drive requirement
- High power density
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
360W
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8V
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.009072