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IXBX50N360HV
IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩192,338 |
| 5+ | ₩177,372 |
| 10+ | ₩162,405 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXBX50N360HV
주문 코드3930055
Product RangeBiMOSFET Series
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current125A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation660W
Collector Emitter Voltage Max3.6kV
Transistor Case StyleTO-247PLUS-HV
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeBiMOSFET Series
제품 개요
High voltage, high frequency BiMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit applications.
- High blocking voltage
- High voltage package
- Low conduction losses
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Continuous Collector Current
125A
Power Dissipation
660W
Transistor Case Style
TO-247PLUS-HV
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
BiMOSFET Series
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
3.6kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001